Gli ingegneri e i ricercatori della National University of Singapore hanno sviluppato nuove tecnologie per la memoria dei dati basate sulla “Magnetoresistive Random Access Memory” capaci di prestazioni elevatissime: moltiplicare di 20 volte la capacità degli attuali sistemi di memorizzazione dei computer e prolungare il tempo di funzionamento con consumi energetici drasticamente ridotti.
Per fare un esempio e dare una proporzione, con la tecnologia sviluppata i responsabili della ricercano affermano di poter spostare la necessità di ricarica dei telefoni cellulari odierni da una base giornaliera a una settimanale.
I sistemi MRAM utilizzano strutture ferromagnetiche ultra sottili solitamente di scarsa implementazione nelle tecnologie tradizionali a causa di uno spessore sotto 1 nanometer; difficoltà superata dai ricercatori di Singapore incorporando strutture magnetiche multistrato con spessore di 20 nanometer.
Come spiega Yang Hynsoo (Department of Electrical & Computer Engineering): “Con questi sistemi lo spazio di archiviazione aumenterà e il suo funzionamento sarà garantito anche in mancanza di corrente con un rapporto di venti a uno”.
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