Adoperare il tellururo di molibdeno (MoTe2) quale alternativa al grafene nelle future applicazioni elettroniche. L’idea arriva da un gruppo di ricercatori del MIT e di professori appartenenti alla University of Petroleum della Cina, alla National Tsing-hua University di Taiwan e alla Saitama University and Tohoku University del Giappone.
Gli scienziati hanno individuato un metodo per realizzare fogli ampi e spessi di MoTe2 adoperando la tecnica della deposizione chimica da vapore (Chemical Vapor Deposition, CVD).
Gli atomi di tellururo e di molibdeno in natura tendono a formare legami molto deboli; per risolvere l’inconveniente gli scienziati sono partiti da un singolo strato di molibdeno puro sul quale hanno effettuato diverse stratificazioni. Successivamente hanno ossidato questo strato per poi rimuoverlo e sostituirlo con polvere di tellurio vaporizzato in un gas carrier con idrogeno e argon ad una temperatura di 700°C. L’uso di idrogeno nel processo si è rivelato cruciale per produrre un film uniforme di MoTe2 .
“Questo materiale ha una banda proibita simile a quella del silicio – una caratterisica fondamentale per i transistor e le celle solari – e ha un forte potere di assorbimento delle radiazioni solari“, ha spiegato Lin Zhou del MIT. Tra gli altri vantaggi emergono la possibilità di impiegare subito il MoTe2 nei device elettronici, come dimostrato in laboratorio, e dalle molteplici applicazioni.
Il lavoro, pubblicato sul Journal of the American Chemical Society, ha ricevuto il supporto di National Science Foundation, Office of Naval Research e Internazionale Postdoctoral Exchange Fellowship Program.
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